集成電路行業金融服務

Ⅰ 想要創業做集成電路相關的產業，想知道有沒有扶持政策，前景怎麼樣。

2018年中國集成電路行業市場規模分析及預測 利好政策與應用市場雙驅動，行業將持續保持高速增長

集成電路行業基本概況分析

集成電路(integrated
circuit)是一種微型電子器件或部件，它採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構。

由於幾乎所有的電子設備中都需要使用集成電路，因此集成電路已經廣泛應用到計算機、家用電器、數碼電子、自動化、電氣、通信、交通、醫療、航空航天等諸多國家重要領域。作為信息技術產業的核心，集成電路已逐漸成為衡量一個國家或地區綜合競爭力的重要標志和地區經濟的晴雨表，成為支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業。

政策利好+市場推動，我國集成電路產業保持快速增長

近年來，在國家政策扶持以及市場應用帶動下，我國集成電路產業保持快速增長，持續保持了增速全球領先的勢頭。據前瞻產業研究院發布的《中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》統計數據顯示，2010年我國集成電路產業銷售規模已達1424億元，2012年我國集成電路產業銷售規模突破2000億元。到了2014我國集成電路產業銷售規模增長至3015.4億元。2017年時我國集成電路產業銷售規模達到了5411.3億元，較2010年增長了2.8倍，2010-2017年復合增長率達21.0%。截止到2018年Q3我國集成電路產業銷售規模已達到4461.5億元，同比增長22.4%，預計2018年全年行業銷售規模將達6400億元，持續保持兩位數增長。

2010-2018年我國集成電路產業銷售規模統計情況及預測

數據來源：前瞻產業研究院整理

Ⅱ 大家覺得集成電路行業前景怎麼樣

前景不錯，近年來，憑借著巨大的市場需求、較低的生產成本以及經濟的穩定發展和有利的政策環境等眾多優勢條件，我國集成電路產業實現了快速發展。前瞻產業研究院數據顯示，截止2016年，中國集成電路產業年銷售額達到4335.5億元，年均增速在20%左右，行業規模增速遠高於全球平均水平。
數據顯示，2001-2016年間，我國集成電路市場規模由1260億元增加至近12000億元。中國集成電路產業規模逐年上升，目前已經成為全球第一大集成電路市場。但我國集成電路需求中很大比例仍需依靠進口來滿足。

Ⅲ 集成電路行業創業有哪些好的切入點

這個行業前景不錯，據前瞻產業研究院《2016-2021年中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》顯示， 集成電路產業作為國民經濟和社會發展的戰略性、基礎性和先導性產業，具有極強的創新力和融合力，已經滲透到人民生活、生產以及國防安全的方方面面。國際金融危機後，世界各國都在努力探尋經濟轉型之路，加快培育發展戰略性新興產業，力爭在後危機時代的全球經濟發展和競爭中贏得先機。擁有強大的集成電路技術和產業，已成為邁向創新型國家的重要標志。據前瞻產業研究院統計，2014年全球半導體市場規模達到3331億美元，同比增長9%，為近四年增速之最。據ICInsight統計的全球GDP與集成電路產業的年均增長率比較，可以清楚地看到集成電路產業增長緩慢，正逐步接近GDP，表明了全球集成電路產業已經成為成熟產業;並且強調成本協同、強調規模經濟的產業特徵，也表明了這一產業己經成為成熟產業。
兼並重組可能是集成電路產業最好的切入點
未來幾年，全球集成電路產業將進入重大調整變革期，隨著投資規模迅速攀升，市場份額加速向優勢企業集中，不少領域將形成2-3家企業壟斷局面。此外，國際企業通過構建合作聯盟、兼並重組、專利布局等方式強化核心環節控制力，市場進入壁壘進一步提高。全球集成電路產業依然「大者恆大」;產業技術革新難度加大，速度開始變緩，技術競爭愈發激烈;迅速增長的中國市場帶動著全球產業發展，「中國效應」引領集成電路產業;在市場競爭的壓力下，商業模式悄然變化——眾多IDM工廠紛紛轉向「輕晶圓廠」模式或代工模式，搶入全球晶圓代工行列;全球集成電路產業呈現出從發達地區向發展中國家和地區轉移的趨勢。伴隨著行業集中度越來越高，行業發展也逐步結束過去高增長和周期性波動的發展局面，開始步入平穩發展階段，產業結構調整步伐加速，IC設計業與晶圓代工業呈現異軍突起之勢。產業重心進一步向亞洲，特別是向中國大陸轉移。中國大陸將成為全球半導體市場的主要增長點，而中國集成電路產業的全球地位快速提升，產業鏈日漸成熟，為我國集成電路產業的發展提供了良好的機遇。

Ⅳ ODM行業和集成電路行業該怎樣選擇

集成電路行發展機遇分析 設計製造是產業突破關鍵

集成電路行業迎來歷史性突破，迎來了最好發展時機

2018年，恰逢中國改革開放40年。40年前，64Kb動態隨機存儲器(DRAM)誕生，宣告超大規模集成電路時代來臨，中國科學院半導體研究所開始研製4Kb
DRAM，在次年投入生產;40年後，2018年第四季度，紫光集團旗下長江存儲研發的64Gb 32層三維快閃記憶體晶元(3D NAND
Flash)將實現量產，8月份剛剛推出的Xtacking技術更是給快閃記憶體晶元結構帶來了歷史性突破，為全球快閃記憶體產業的發展留下了中國企業濃墨重彩的一筆。中國集成電路產業，從國家、政府到企業、科研人員，上下齊心，奮發圖強，在走過40年曲折艱難的發展之路後，迎來了最好的發展時機。

我國集成電路產品是最大宗進口產品

晶元是電子信息產業的基礎和核心，關乎信息安全、產業安全、外匯安全，更關乎國家安全，是當之無愧的「國之重器」。然而，從2013年至今，每年我國集成電路產品進口額都逾2000億美元，是最大宗進口產品。據前瞻產業研究院發布的《集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》統計數據顯示，2018年2-7月中國集成電路進口量有不同程度的浮動，整體呈上升趨勢;2018年7月中國集成電路進口量為386億個，同比增長14.2%。2018年8月中國集成電路進口量有小幅度下降，2018年8月中國集成電路進口量為382億個，同比增長10.4%。

在進口金額方面，2018年3-8月中國集成電路進口金額整體呈增長趨勢，2018年8月中國集成電路進口金額為27436百萬美元，同比增長12.3%。

政策頻繁出台，助力中國集成電路產業發展

2011年1月，國務院出台《進一步鼓勵軟體產業和集成電路產業發展的若干政策》，在財稅、投融資、研究開發、進出口、人才、知識產權、市場等方面為企業提供便利。

2014年6月，工信部印發《國家集成電路產業發展推進綱要》，發展集成電路產業上升為國家戰略;9月國家集成電路產業投資基金設立，募集千億資金用於集成電路產業企業的股權投資，發展龍頭企業。

2018年兩會期間發布的《政府工作報告》，更是將集成電路產業發展，擺在推動製造強國建設的重要位置。

國家戰略和利好政策提供了產業最大的發展機會。與此同時，中國集成電路的市場縱深、資本縱深和人才縱深的形成，也將持續推動產業發展。

設計製造是產業突破關鍵

紫光集團早在2013年就開始布局晶元產業，現已發展壯大成為中國最大的綜合性集成電路企業之一。2017年，紫光集團總資產超2000億元，收入超600億元，晶元年供應量超30億顆。

放眼全球，集成電路產業具有資金密集、人才密集、技術密集、全球化競爭等特點，而全球集成電路產業也正經歷重大變化：摩爾定律幾近失效，技術瓶頸日益凸顯，產業發展不確定性因素增多。

如何在瞬息萬變的晶元產業發展中有所突破，是紫光一直以來不斷思考和探索的課題。集成電路產業鏈復雜，簡單講就有晶元設計、EDA工具軟體、晶元製造、封測、設備和材料這六大環節。在產業全球化的今天，很難有一家企業包攬晶元鏈條的全部環節。紫光實踐中的經驗就是抓住其中產業影響力最大、價值最大的兩個關鍵環節，做強、做大。這兩個環節就是晶元設計與製造。

在晶元設計上，紫光首先選擇以移動通信晶元設計為突破口，是因為手機晶元數量大，並且有通用的ARM構架和成熟的軟體生態及代工模式;而同時聚焦安全晶元設計，是因為中國身份證、銀行卡等安全晶元設計市場廣闊，且國內在安全晶元領域技術已成熟，可迅速實現市場化。

從2013年開始，紫光通過收購全球第三的通信基帶晶元設計公司展訊通信，和全球第四的晶元設計企業銳迪科微電子，搶佔下「橋頭堡」，迅速站穩腳跟。如今，在手機晶元、物聯網晶元、FPGA和身份證、金融卡等智能安全晶元等諸多晶元設計領域，紫光的市場份額均居中國第一。

在晶元製造上，紫光瞄準的是存儲晶元，因為存儲晶元是個「大糧倉」，市場增長迅速。2017年，中國進口的集成電路中約1/3是存儲晶元，而且存儲晶元產品介面標准化，生態成熟;其中快閃記憶體晶元更是有發展歷史短、技術壁壘低、國內有專利積累等優勢，並且快閃記憶體不僅廣泛應用於移動端，而且正取代磁碟進入雲計算數據中心，在AI和大數據驅動下，應用前景廣闊。

2016年7月，紫光牽頭組建長江存儲科技公司，設計製造三維快閃記憶體晶元。長江存儲核心廠區佔地面積約1717畝，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND
Flash
FAB廠房。之後，紫光也陸續在南京、成都等地開工建設存儲晶元製造基地。2018年第四季度，長江存儲首批64Gb三十二層三維快閃記憶體晶元將在新廠房實現量產。

創新是引領發展第一動力

科技創新是紫光發展的原動力。紫光展銳研發出國內首家、全球第二家擁有自主嵌入式CPU關鍵技術的手機晶元平台SC9850KH;紫光國微研製出國內首個獲得國際CCEAL5+證書的IC卡安全晶元THD88;紫光同創推出目前中國唯一一款自主產權千萬門級高性能FPGA產品PGT180H。

2017年，長江存儲耗資1800億元、千人團隊研發兩年的32層三維快閃記憶體晶元研發成功，填補中國快閃記憶體晶元空白。

晶元產業的發展必須形成系統化的體系，不僅要有前端的技術創新，還要有後面應用端的創新，只有這樣才能被用戶所接受，在市場競爭中站穩腳跟。

紫光創造性地打造了極具紫光特色的「從芯到雲」內生鏈，通過集團內企業的相互配合，逐步形成了自身的晶元產業系統。以存儲晶元為例，長江存儲設計製造的三維快閃記憶體顆粒，可以由紫光宏茂等公司進行封裝測試，經紫光存儲做成模組板卡等產品，再應用於紫光展銳的手機系統，或是紫光旗下新華三集團的伺服器及存儲系統，進而延展至紫光雲等數據中心。

晶元內生鏈的建成，不僅找到了新產品第一批「吃螃蟹」的人，更解決了應用測試、優化等一系列問題，確保了產品上市後的競爭優勢。這就好比是菜還沒上來，先把客人找好，並和廚師一起對好了口味。

展望未來，紫光正緊扣移動通訊領域5G和IoT發展的歷史性機遇，積極布局，力爭用下一個十年打造出世界級數一數二的晶元設計企業;在存儲晶元製造領域，紫光堅持頑強的戰略耐力，冷靜的戰術心態，爭取五年站穩腳跟，十年有所成就，成為全球三維快閃記憶體的主要廠家之一。

Ⅳ 國務院大力支持集成電路和軟體企業發展

[汽車之家行業]?日前，國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟體產業高質量發展的若干政策》（以下簡稱《若干政策》）。《若干政策》提出，我國將從財稅、投融資、研究開發、進出口、人才、知識產權、市場應用、國際合作八大方面給予集成電路企業和軟體企業支持。

此外，《若干政策》還鼓勵國際企業在華建設研發中心，此舉可以加強國內行業協會與國際行業組織的溝通交流，支持國內企業在境內外與國際企業開展合作，深度參與國際市場分工協作和國際標准制定。根據《若干政策》，凡在中國境內設立的符合條件的集成電路企業（含設計、生產、封裝、測試、裝備、材料企業）和軟體企業，不分所有制性質，均可享受本政策。

編輯點評：

《若干政策》的發布對於日益崛起的中國汽車產業智能化來說是個利好消息，各項切實有利的政策不僅可以推動本土相關企業的發展，也可以吸引更多相關行業的國際企業投入資源，長遠來看有助於提升集成電路與軟體產業的高度本地化。在這個全球化局勢發生變革的當下，能夠在高精尖行業把握關鍵技術將幫助我們占據主動權。（文/汽車之家丁伯駿）

Ⅵ 集成電路屬於哪個行業，主要分為哪些領域

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；

Ⅶ 集成電路行業的上下游產業是指哪些具體的

根據LED的生產流程，可以把行業分成上游外延片生長、中游晶元製造和下游晶元封裝三個產業鏈。
上游外延片生長為LED的關鍵技術，附加值也最大。單晶片是襯底，目前使用較多的是藍寶石。利用不同材料可以在襯底基板上成長不同材料層的外延晶片，現有的規格大小是2 寸及3 寸的外延晶片，厚度很薄就像平面金屬一般，之後供中游使用。
中游廠商根據LED 元件結構的需要，先進行金屬蒸鍍，然後在外延晶片上光罩蝕刻及熱處理而製作LED 兩端的金屬電極，接著將襯底磨薄、拋光後切割為細小的LED 晶元。由於襯底較脆且機械加工性差，晶元切割過程的成品率為中游製作階段的重點。中游的最後一步是測試分選。
下游把從中游來的晶元粘貼並焊接導線架，經由測試、封膠，然後封裝成各種不同的產品。原則上晶元越小、封裝的技術難度越高。但相對於上游而言，技術含量仍然比較低。所以製作重點除了封裝能力的多樣化外，還有在於如何增加封裝難度高的大功率LED 產品以提升利潤與競爭力。

解析:LED行業上下游產業鏈現狀
由於中游晶元製作質量的好壞主要由上游的外延片決定，兩者相關性非常密切。一般而言，上游廠商同時會進行晶元製作流程，中游廠商為了控制質量，也會向上游延伸。所以往往上游外延片生長和中游晶元製造是一體的，兩者合計占整個LED 產業產值的70%以上。
LED生產流程
除這三者外，更加寬泛的LED 產業鏈還包括襯底（基板）的製造和晶元封裝後LED 應用的開發，前者也可歸於材料行業，後者可以歸入各個應用領域。
LED 的外延片生長主要有LPE（液相外延）、VPE（氣相外延）和MOCVD（有機金屬氣相外延）技術，前兩者主要用來生產傳統LED，後者用於生產高亮度LED。隨著高亮度LED 越來越成為LED 的主流，目前新購置的外延片生長設備均是MOCVD。
LED主要外延片生長技術
不同的基板材料，和不同的發光層材料，對應不同的波長，也對應不同的顏色。由於藍綠光和白光是未來的發展方向，也是現在的主流產品，藍寶石作為基板目前使用最多。
LED外延片材料分類
LED 產品封裝結構通常分為點光源、面光源和發光顯示器三類，單個管芯一般構成點光源，多個管芯組裝一般可構成面光源和線光源，作信息、狀態指示及顯示用，發光顯示器也是用多個管芯串聯和並聯組合而成的。
LED主要封裝技術
目前全球LED 主要廠商為日亞化學、豐田合成、CREE、GELCORE、LUMILEDS 和OSRAM 等，這些國際大公司主要分布在歐美日，擁有LED 技術的主要專利，也是LED 前沿技術的主要開發力量。

Ⅷ 國內集成電路行業，目前的情況怎麼樣前景如何

我這里有一份。要的話可以給你發一份。

2011 年 1月 2日
中國集成電路產業發展現狀 中國集成電路產業發展現狀 集成電路產業發展
關鍵詞：中國集成電路現狀
集成電路產業是知識密集、技術密集和資金密集型產業，世界集成電路產業發 展迅速，技術日新月異。2003年前中國集成電路產業無論從質還是從量來說都不 算發達， 但伴隨著全球產業東移的大潮， 中國的經濟穩定增長， 巨大的內需市場， 以及充裕的人才，中國集成電路產業已然崛起成為新的世界集成電路製造中心。 二十一世紀， 我國必須加強發展自己的電子信息產業。 它是推動我國經濟發展， 促進科技進步的支柱，是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產業基 礎的集成電路產業必須優先發展。只有擁有堅實的集成電路產業，才能有力地 支持我國經濟、軍事、科技及社會發展第三步發展戰略目標的實現。
一、我國集成電路產業發展迅速 1998 年我國集成電路產量為 22.2 億塊，銷售規模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國集成電路產量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠遠高於同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產業重大變化 2008年是中國集成電路產業發展過程中出現重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退，同時也使中國出口產品數量明顯減少，佔中國出口總 額1/3左右的電子信息產品增速回落，其核心部件的集成電路產品的需求量相應 減少。 人民幣升值也是影響產業發展的一個不可忽視的因素， 因為在目前國內集成電 路產品銷售額中直接出口佔到70%左右， 人民幣升值對於以美元為結算貨幣的出 口貿易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國內集成電路產業整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點，在即將到來的2011年裡，人民幣加速升值值得關 注。 三、中國集成電路產品產銷概況 中國集成電路產品產銷概況 中國集 2008年中國集成電路產業在產業發展周期性低谷呈現出增速逐季遞減狀態， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現了未曾有過的負增長局 面；全年集成電路產量為417.14億塊，較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產品產量和銷售額的情況如圖1和圖2所示：
圖1 2003—2008年中國集成電路產品產量增長情況
圖2 2003—2008年中國集成電路產品銷售額增長情況 由上圖可知，最近幾年我國集成電路產品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因為在國務院18號文件頒布後的五年中，中國集成電路產業的產品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升， 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍，是一種階段性的超高速發展的狀態；一般情況下，我國集成電路產業年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發展，因此，在2007年以後， 我國集成電路產業的年增長速度逐步減緩應屬正常勢態， 在世界集成電路產業周 期性低谷階段，20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展，形成金融危機後又向經濟實體部門擴散，從2008
年開始對中國集成電路產業產生影響，到第三季度國際金融危機明顯爆發後，中 國集成電路產業銷售額就出現了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態。圖3 是這個變化過程。
圖3 2006Q1－2008Q4中國集成電路產品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產業的發展得益於產業環境的改善， 抵禦金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月，財政部和國家稅務總局發布了《關於企業所得稅若干優 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號)，對集成電路企業所享受的所得稅優惠十分 重視。日前通過的《電子信息產業調整和振興規劃》 ，又把「建立自主可控的集成 電路產業體系」作為未來國內信息產業發展的三大重點任務之一，在五大發展舉 措中明確提出「加大投入，集中力量實施集成電路升級」。2005年由國務院發布的 《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006━2020年)》(國發[2005]44號),確定 並安排了16個國家重大專項，其中把「核心電子器件、高端通用晶元及基礎軟體 產品」與「超大規模集成電路製造裝備及成套工藝」列在多個重大專項的前兩位； 2008年4月國務院常務會議已審議並原則通過了這兩個重大專項的實施方案，為 專項涉及的相關領域提供了良好的發展契機。 中國各級政府對集成電路產業發展 的積極支持和相關政策的不斷落實， 對我國集成電路產業的發展產生了積極的影 響。 四、中國集成電路產品需求市場 近些年來，隨著中國電子信息產品製造業的迅速發展，在中國市場上對集成 電路產品的需求呈現出飛速發展的勢態，並成為全球半導體行業的關注點，即使 中國集成電路產品的需 在國內外半導體產業陷入低迷並出現了負增長的2008年，
求市場仍保持著增長的勢頭， 這是由中國信息產品製造業的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產品市場需求額變化情況如圖 4所示。
圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產業結構 設計、製造和封裝測試業三業並舉，半導體設備和材料的研發水平和生產能 力不斷增強，產業鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設計業和晶元製造業的加速發展， 設計業和晶元製造業所佔比重逐步上升，國內集成電路產業結構逐漸趨於合理。 2006年設計業的銷售額為186.2億元， 比2005年增長49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長21.2%。晶元製造業2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長26.4%。2001年我國設計業、晶元製造業、封測業的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別佔全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產業結構 不盡合理。 最近5年來， 在產業規模不斷擴大的同時，IC 產業結構逐步趨於合理， 設計業和晶元製造業在產業中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設計業、晶元 製造業、封測業的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別佔全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設備材料的研發和生產能力不斷增強。 在設備方面， 65納米開始導入生產， 中芯國際與 IBM 在45納米技術上開展合作，FBP（平面凸點式封裝）和 MCP（多
晶元封裝）等先進封裝技術開發成功並投入生產，自主開發的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸矽片已進入生產線使用。在材料方面，已 研發出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內生產能力和供應能力不斷 增強。
但是2008年，國內集成電路設計、晶元製造與封裝測試三業均不同程度的受 到市場低迷的影響，其中晶元製造業最明顯，全年晶元製造業規模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要晶元製造企業均出現了產能閑置、業績下滑的情 況；封裝測試業普遍訂單下降、開工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設計 業也受到國內市場需求增長放緩的影響， 由於重點企業在技術升級與產品創新方 面所做的努力部份地抵禦了市場需求不振所帶來的影響， 全年增速仍保持在正增 長狀態，為4.2%，高於國內集成電路產業的整體增幅。如圖5所示。
圖5 2008年中國集成電路產業基本結構
六、集成電路技術發展 集成電路技術發展 我國技術創新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產線，發展到目前的 12 英寸生產線，IC 製造工藝向深亞微米挺進， 封裝測試水平從低端邁向中 研發了不少工藝模塊， 先進加工工藝已達到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發和生產
方面取得了顯著成績。IC 設計水平大大提升，設計能力小於等於 0.5 微米企業比 例已超過 60%，其中設計能力在 0.18 微米以下企業占相當比例，部分企業設計 水平已經達到 100nm 的先進水平。設計能力在百萬門規模以上的國內 IC 設計企 業比例已上升到 20%以上，最大設計規模已經超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產，不僅滿足國內市場需求，有的還進入國際市場。 總之，集成電路產業是信息產業和現代製造業的核心戰略產業，其已成為一些 國家信息產業的重中之重。 2011年我國集成電路產業的發展將勉勵更好的發展環 境，國家政府的支持力度將進一步增加，新的扶植政策也會盡快出台，支持研發 的資金將會增多，國內市場空間更為廣闊，我國集成電路產業仍將保持較快的發 展速度，佔全球市場份額比重必會進一步增大！！ ！
附錄： 附錄： 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 1947 年，美國貝爾實驗室發明了晶體管。 1956 年，中國提出「向科學進軍」，把半導體技術列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用 物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接 觸二極體和三極體（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎。 1962 年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並 在國內首先鑒定了 DTL 型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產品。 這些小規模雙極型數字集成電 路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。 1968 年，組建國營東光電工廠（878 廠） 、上海無線電十九廠，至 1970 年建 成投產，形成中國 IC 產業中的「兩霸」。 1968 年，上海無線電十四廠首家製成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導體）電 路（MOSIC） 。拉開了我國發展 MOS 電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研 究所（現電子第 24 所） 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研製成功 NMOS 電路。之
後，又研製成 CMOS 電路。 七十年代初，全國掀起了建設 IC 生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研製成功。 1973 年，我國 7 個單位分別從國外引進單台設備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最後只有北京 878 廠，航天部陝西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月，中國科學院計算所研製成功 1000 萬次大型電子計算機，所 使用的電路為中國科學院 109 廠（現中科院微電子中心）研製的 ECL 型（發射極 耦合邏輯）電路。 1982 年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742 廠）IC 生產線建成驗收投產， 這是中國第一次從國外引進集成電路技術。 1982 年 10 月，國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路的領導，成立 了以萬里副總理為組長的「電子計算機和大規模集成電路領導小組」， 制定了中 國 IC 發展規劃，提出「六五」期間要對半導體工業進行技術改造。 1983 年，針對當時多頭引進，重復布點的情況，國務院大規模集成電路領 導小組提出「治散治亂」， 集成電路要「建立南北兩個基地和一個點」的發展戰 略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一 個點指西安，主要為航天配套。 1986 年，電子部廈門集成電路發展戰略研討會，提出「七五」期間我國集 成電路技術「531」發展戰略，即普及推廣 5 微米技術，開發 3 微米技術，進行 1 微米技術科技攻關。 1989 年 2 月，機電部在無錫召開「八五」集成電路發展戰略研討會，提出 了「加快基地建設，形成規模生產，注重發展專用電路，加強科研和支持條件， 振興集成電路產業」的發展戰略。 1989 年 8 月 8 日， 廠和永川半導體研究所無錫分所合並成立了中國華晶 742 電子集團公司。 1990 年 10 月，國家計委和機電部在北京聯合召開了有關領導和專家參加的座談 會，並向黨中央進行了匯報，決定實施九 O 八工程。 1995 年，電子部提出「九五」集成電路發展戰略：以市場為導向，以 CAD 為突破口，產學研用相結合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工 程和技術創新能力的建設，促進集成電路產業進入良性循環。 1995 年 10 月，電子部和國家外專局在北京聯合召開國內外專家座談會，獻 計獻策，加速我國集成電路產業發展。11 月，電子部向國務院做了專題匯報， 確定實施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建，總投資為 12 億美元，注冊資金 7 億美元，華虹 NEC 主要承 擔「九 0 九」工程超大規模集成電路晶元生產線項目建設。 1998 年 1 月 18 日，「九 0 八」 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這 條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產線已經具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產能力。 1998 年 1 月，中國華大集成電路設計中心向國內外用戶推出了熊貓 2000 系 統，這是我國自主開發的一套 EDA 系統，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要， 可處理規模達百萬門級，支持高層次設計。 1998 年 2 月 28 日，我國第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產線建成投產，這個
項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998 年 4 月，集成電路「九 0 八」工程九個產品設計開發中心項目驗收授 牌，這九個設計中心為信息產業部電子第十五研究所、信息產業部電子第五下四 研究所、上海集成電路設計公司、深圳先科設計中心、杭州東方設計中心、廣東 專用電路設計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業自動化研究所和航天工 業 771 研究所。這些設計中心是與華晶六英寸生產線項目配套建設的。 1998 年 3 月，由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發 的我國第一個-CMOS 微型彩色攝像晶元開發成功，我國視覺晶元設計開發工作取 得的一項可喜的成績。 1999 年 2 月 23 日，上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術檔次 從計劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主導產品 64M 同步動態存儲器（S－ DRAM） 這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集 。 成電路晶元生產線。 2000 年 7 月 11 日，國務院頒布了《鼓勵軟體產業和集成電路產業發展的若 干政策》 隨後科技部依次批准了上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個國家級 IC 設計產業化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國家高技術產業化示範工程項 目在北京有色金屬研究總院建成投產；3 月 28 日，國務院第 36 次常務會議通過 了《集成電路布圖設計保護條例》 。 2002 年 9 月 28 日，龍芯 1 號在中科院計算所誕生。同年 11 月，中國電子 科技集團公司第四十六研究所率先研製成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶， 實現 了我國直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研製零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內 IC 設計 第一股。 2006 年中星微電子在美國納斯達克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國納斯達克上市。 2008 年《集成電路產業「十一五」專項規劃》重點建設北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國家集成電路產業園。