『壹』 光刻膠是製造手機晶元必不可少的東西,你知道光刻膠是啥嗎
光刻膠有成為光制扛蝕機是光刻成像的承載介質,可以利用化學反應原理講光哥系統中經過濾波顏色後的光信息轉化為能量,完成掩膜圖形的復制。 有消息稱,日本東北213地震使得其企業的光刻膠出現了供應告急的問題,而信越更是宣布了關閉廠區,要知道日本信越占據全球光刻膠市場的20%。而光刻膠又是半導體的關鍵材料,日本信越宣布關閉廠區,就意味著全球光刻膠出現了供不應求的情況,其所帶來的連鎖反應就是加劇了晶元急慌的問題。
有相關數據顯示,2018年之中,全球半導體市場結構之中光刻膠的佔比達到了5.24%,被稱之為半導體的核心材料。在全球半導體光刻膠市場之中,日本企業可以說是一家獨大的,隨隨便便就能夠形成壟斷的現象,其佔比達到了80%。其中前面講到過的信越以及住友化學和TOK等等都是光刻膠市場領域之中的巨頭,可是日本此次突發地震,使得光刻膠市場1度面臨供不應求的狀況。
而上海信陽花費7.32億元推動集成電路製造,其中ARF光刻膠與KrF光刻膠成為其公司項目的主要攻克方向。不管是南大光電還是晶銳股份,又或者是上海新陽,這些企業為中國在光刻膠領域上面的發展填上了一筆又一筆色彩,使得我們在這個領域之中不再是小白的狀態。除了在光刻膠領域之中,我們在其他很多領域之中也都獲得了一定的成就。相信在全國上下無數企業的努力之下,我們一定能夠完成在半導體內各個領域之中的突破。雖然我們底子薄弱,但是我們有不服輸的精神,盡管我們起步晚,但是我們有決心。我們不能夠決定我們在全球領域內會擁有多大的地位,但是我們能夠決定我們付出多少就會收獲多少。
『貳』 在哪裡可以買到SU8光刻膠價格大概是多少
香港電子器材有限公司有售,平均來說每升大約10000元。具體聯系信息不便張貼,網上應可以查的到,如果找不到可以email聯系我:[email protected]。我們這里(博奧生物有限公司,生物晶元北京國家工程研究中心)一直在用SU8及其它各類光刻膠在PDMS、PMMA、硅、玻璃等基底上做各種微流體(microfluidics)、微電極以及MEMS相關的工藝,對外提供晶元加工服務,歡迎來信交流技術。
『叄』 南大光電一個月行情南大光電今天的價格南大光電 上漲邏輯
半導體行業始終是投資者很關注的行業,國家給予了大力的扶持,那南大光電這只股票如何呢,有沒有投資價值呢,學姐這就來幫你們分析一下。開始介紹南大光電前,咱們先一塊來了解一下這份半導體行業龍頭股名單,點開就能查看:寶藏資料!半導體行業龍頭股一欄表
一、從公司角度來看
公司介紹:江蘇南大光電材料股份有限公司主要從事先進前驅體材料、電子特氣、光刻膠及配套材料三類半導體材料產品生產、研發和銷售,是MO源產業化生產的企業,也是全球主要的MO源生產商,其主要產品有MO源產品、高純ALD/CVD前驅體、OLED材料等。南大光電依託企業自主創新平台,全面推進研發創新能力建設,自主研發的多個產品獲得"高新技術產品認定證書"、"國家火炬計劃項目證書"等榮譽。
大概研究完南大光電後,下面來分析一下亮點,了解一下南大光電是否值得入手。
亮點一:自主研發ArF光刻膠產品,加速公司光刻膠業務發展
公司成功自主研發出國內首支通過客戶認證的ArF光刻膠產品,在國內實現了ArF光刻膠從零到一的重大突破,公司目前已建設了兩條光刻膠生產線,光刻膠每年的產量高達25噸。目前,ArF光刻膠產品已取得小批量訂單,在光刻膠國產化的大趨勢下,光刻膠業務將帶動公司業績邁入更高的境界。
亮點二:多維度布局半導體材料,技術優勢明顯
電子特氣方面,新一代安全源、混氣產品相繼產業化,最新升級的超高純砷烷產品品質在測試中已超過目前國際先進同行的技術水平,超高純磷烷產品也是國際一流製程的晶元企業,公司氫類電子特氣已排在世界前列了。MO源方面,公司通過提升MO源超純化和超純分析技術實現了在第三代半導體領域的新應用市場增長,高純ALD/CVD前驅體產品也實現批量供貨國內外先進半導體企業。鑒於文章字數是有限的,這篇研究報告把關於南大光電更深入的分析和潛在風險都詳細寫了,點擊該鏈接便可了解:【深度研報】南大光電點評,建議收藏!
二、從行業角度看
十四五規劃提到要對人工智慧、量子信息、集成電路等項目進行扶持,這個無疑是非常有利的。近年來,美國與其他國家相互合作對中國進行高科技封鎖,嚴格限制對中國的設備、技術出口,這樣反而偷雞不成蝕把米,把我們中國市場半導體技術國產化的需求大幅度提高了不少,也從側面推進了國內半導體全產業鏈的發展。
光刻膠方面:在供給端中,受晶圓廠擴產、疫情等因素的影響,光刻膠供給出現緊缺局面。在需求端中,國內眾多家國內晶圓廠也在積極擴大產能,國內光刻膠需求量遠大於本土的生產量且差額逐年擴大,特別是在ArF、高端KrF等半導體光刻膠上,光刻膠作為"卡脖子"產品對國產替代的需求極其旺盛。
總體來說,我國對身為高科技產業的半導體行業非常看重,南大光電作為行業的領航者,將會得到快速發展。不過文章具有一定的時效性,倘若想更准確地看到南大光電未來行情,為大家准備了鏈接,大家可以直接點,有專業的投顧幫你診股,看下南大光電估值是高估還是低估:【免費】測一測南大光電現在是高估還是低估?
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『肆』 南大光電價格分析南大光電止損價位南大光電怎麼不漲啊
投資者一直很關注半導體行業,並且這個行業也得到了國家的大力扶持,其中南大光電股票是否值得我們投資呢,學姐這就來幫你們分析一下。正式研究南大光電前,大家先一起來瀏覽一下這份半導體行業龍頭股名單,點擊就可以領取:寶藏資料!半導體行業龍頭股一欄表
一、從公司角度來看
公司介紹:江蘇南大光電材料股份有限公司主要從事先進前驅體材料、電子特氣、光刻膠及配套材料三類半導體材料產品生產、研發和銷售,是MO源產業化生產的企業,也是全球主要的MO源生產商,其主要產品有MO源產品、高純ALD/CVD前驅體、OLED材料等。南大光電依託企業自主創新平台,全面推進研發創新能力建設,自主研發的多個產品獲得"高新技術產品認定證書"、"國家火炬計劃項目證書"等榮譽。
粗略講完南大光電後,下面來分析一下亮點,了解一下南大光電是否值得入手。
亮點一:自主研發ArF光刻膠產品,加速公司光刻膠業務發展
公司成功自主研發出國內首支通過客戶認證的ArF光刻膠產品,在國內實現了ArF光刻膠從零到一的重大突破,公司目前已實現了兩條光刻膠生產線的建設,光刻膠每年的產量可以達到25噸。目前為止,ArF光刻膠產品接收到小批量訂單,光刻膠現在正逐步向國產化趨勢發展,光刻膠業務將帶動公司業績邁入無與倫比成長空間。
亮點二:多維度布局半導體材料,技術優勢明顯
電子特氣方面,新一代安全源、混氣產品相繼產業化,最新升級的超高純砷烷產品品質在測試中已超過目前國際先進同行的技術水平,超高純磷烷產品也跨入國際一流製程的晶元企業,公司氫類電子特氣已躋身世界前端。MO源方面,公司通過提升MO源超純化和超純分析技術實現了在第三代半導體領域的新應用市場增長,高純ALD/CVD前驅體產品也實現批量供貨國內外先進半導體企業。由於篇幅受限,更多關於南大光電的深度研究和風險評估,我把我整理好的研究報告分享給大家,戳開即可了解:【深度研報】南大光電點評,建議收藏!
二、從行業角度看
十四五規劃提到要對人工智慧、量子信息、集成電路等項目進行扶持,這是相當有好處的。近年來,美國與其他國家相互合作對中國進行高科技封鎖,干擾我們中國設備和技術邁出國門,美國的這種做法讓國內市場對半導體技術國產化的需求增加了不止一點點,也從而使國內半導體全產業鏈的發展得到了推進。
光刻膠方面:在供給端中,會受到晶圓廠擴產、疫情等的影響,光刻膠供給出現緊缺局面。在需求端中,國內有不少家國內晶圓廠也在積極增加產量,國內市場對於光刻膠的需求量要遠超供給量,且差距保持連年增長,尤其在ArF、高端KrF等半導體光刻膠方面,光刻膠作為"卡脖子"產品在對國產替代方面的需求量在不斷激增 。
總而言之,半導體行業在我國深受重視,南大光電作為行業的領軍人物,發展的空間將非常大。只是文章存在一定的延遲性,如若想要更精確地去得知南大光電未來行情,動動小手直接點鏈接,那裡有專業的投顧能幫你診股,看下南大光電估值是高估還是低估:【免費】測一測南大光電現在是高估還是低估?
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『伍』 南大光電每周行情南大光電價格是多少南大光電陰跌原因
投資者一直非常看重國家大力扶持的半導體行業,南大光電這只股票具體怎麼樣呢,我們是否能夠投資,下面我就認真的來展開分析。准備開始說南大光電之前,大夥先來瞧瞧這份半導體行業龍頭股名單,點擊下方鏈接即可知道:寶藏資料!半導體行業龍頭股一欄表
一、從公司角度來看
公司介紹:江蘇南大光電材料股份有限公司主要從事先進前驅體材料、電子特氣、光刻膠及配套材料三類半導體材料產品生產、研發和銷售,是MO源產業化生產的企業,也是全球主要的MO源生產商,其主要產品有MO源產品、高純ALD/CVD前驅體、OLED材料等。南大光電依託企業自主創新平台,全面推進研發創新能力建設,自主研發的多個產品獲得"高新技術產品認定證書"、"國家火炬計劃項目證書"等榮譽。
簡單的對南大光電進行介紹之後,下面通過亮點分析南大光電值不值得投資。
亮點一:自主研發ArF光刻膠產品,加速公司光刻膠業務發展
公司成功自主研發出國內首支通過客戶認證的ArF光刻膠產品,從而實現了國內ArF光刻膠從零到一的重大突破,公司目前兩條光刻膠生產線已經建設好了,光刻膠有高達25噸的年產能。現在,ArF光刻膠產品已得到小批量訂單,光刻膠現在正逐步向國產化趨勢發展,光刻膠業務即將帶動公司業績,進入一個新的成長空間。
亮點二:多維度布局半導體材料,技術優勢明顯
電子特氣方面,新一代安全源、混氣產品相繼產業化,最新升級的超高純砷烷產品品質在測試中已超過目前國際先進同行的技術水平,超高純磷烷產品也邁進了國際一流製程的晶元企業,公司氫類電子特氣在世界已經名列前茅了。MO源方面,公司通過提升MO源超純化和超純分析技術實現了在第三代半導體領域的新應用市場增長,高純ALD/CVD前驅體產品也實現批量供貨國內外先進半導體企業。由於篇幅受限,這篇研報包含了很多關於南大光電更深入的分析和潛在風險提示,打開便能查閱:【深度研報】南大光電點評,建議收藏!
二、從行業角度看
十四五規劃提到要對人工智慧、量子信息、集成電路等項目進行扶持,這個無疑是利好。近幾年,美國一直聯手其他國家對中國進行高科技封鎖,干擾我們中國設備和技術邁出國門,這樣反而偷雞不成蝕把米,把我們中國市場半導體技術國產化的需求大幅度提高了不少,也從而推進了國內半導體全產業鏈的發展。
光刻膠方面:在供給端中,由於受到晶圓廠擴產、疫情等多方面的干擾,光刻膠供給就出現十分稀少的局勢。在需求端中,國內多家國內晶圓廠也在積極擴產,國內市場對於光刻膠的需求量要遠超供給量,且差距保持連年增長,特別是在ArF、高端KrF等半導體光刻膠層面,光刻膠作為"卡脖子"產品,其國產化替代的需要程度很高。
總體來說,我國對身為高科技產業的半導體行業非常看重,南大光電作為行業的領航者,發展的空間將非常大。但文章具有時滯效應,假若想更准確地認識南大光電未來行情,只需點擊網址,就有專業的投顧幫你診股,看下南大光電估值是高估還是低估:【免費】測一測南大光電現在是高估還是低估?
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『陸』 光刻膠現價6.5是什麼股
光刻膠現在的價格是¥6.5
他是屬於工業級別的股票
可以看公司的業績來進行審核。
『柒』 股價不到18元,集半導體,光刻膠,新能源於一體的股票是哪支
摘要 沒有一個公司做能源又做半導體的呢
『捌』 pcb光刻膠和半導體光刻膠的區別
光刻膠是一種有機化合物,它受紫外光曝光後,在顯影液中的溶解度會發生變化。一般光刻膠以液態塗覆在矽片表面上,曝光後烘烤成固態。 1、光刻膠的作用: a、將掩膜板上的圖形轉移到矽片表面的氧化層中; b、在後續工序中,保護下面的材料(刻蝕或離子注入)。2、光刻膠的物理特性參數: a、解析度(resolution)。區別矽片表面相鄰圖形特徵的能力。一般用關鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小,光刻膠的解析度越好。 b、對比度(Contrast)。指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側壁越陡峭,解析度越好。 c、敏感度(Sensitivity)。光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值(或最小曝光量)。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對於波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。 d、粘滯性/黏度(Viscosity)。衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產生厚的光刻膠;越小的粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體,粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位:泊(poise),光刻膠一般用厘泊(cps,厘泊為1%泊)來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率;運動粘滯率定義為:運動粘滯率=絕對粘滯率/比重。單位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。 e、粘附性(Adherence)。表徵光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住後續工藝(刻蝕、離子注入等)。 f、抗蝕性(Anti-etching)。光刻膠必須保持它的粘附性,在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。 g、表面張力(Surface Tension)。液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。 h、存儲和傳送(Storage and Transmission)。能量(光和熱)可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍,負膠會發生交聯,正膠會發生感光延遲。3、光刻膠的分類 a、根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類:負性光刻膠和正性光刻膠。 負性光刻膠(Negative Photo Resist)。最早使用,一直到20世紀70年代。曝光區域發生交聯,難溶於顯影液。特性:良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快;顯影時發生變形和膨脹。所以只能用於2μm的解析度。 正性光刻膠(Positive Photo Resist)。20世紀70年代,有負性轉用正性。正性光刻膠的曝光區域更加容易溶解於顯影液。特性:解析度高、台階覆蓋好、對比度好;粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。 b、根據光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分:傳統光刻膠和化學放大光刻膠。 傳統光刻膠。適用於I線(365nm)、H線(405nm)和G線(436nm),關鍵尺寸在0.35μm及其以上。 化學放大光刻膠(CAR,Chemical Amplified Resist)。適用於深紫外線(DUV)波長的光刻膠。KrF(248nm)和ArF(193nm)。4、光刻膠的具體性質 a、傳統光刻膠:正膠和負膠。光刻膠的組成:樹脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機械與化學性質(如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑,感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent),保持光刻膠的液體狀態,使之具有良好的流動性;添加劑(Additive),用以改變光刻膠的某些特性,如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。 負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是一種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。 正性光刻膠。樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中;感光劑是光敏化合物(PAC,Photo Active Compound),最常見的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ是一種強烈的溶解抑制劑,降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光後,DNQ在光刻膠中化學分解,成為溶解度增強劑,大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸,它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度,所以生成的圖形具有良好的解析度。 b、化學放大光刻膠(CAR,Chemical Amplified Resist)。樹脂是具有化學基團保護(t-BOC)的聚乙烯(PHS)。有保護團的樹脂不溶於水;感光劑是光酸產生劑(PAG,Photo Acid Generator),光刻膠曝光後,在曝光區的PAG發生光化學反應會產生一種酸。該酸在曝光後熱烘(PEB,Post Exposure Baking)時,作為化學催化劑將樹脂上的保護基團移走,從而使曝光區域的光刻膠由原來不溶於水轉變為高度溶於以水為主要成分的顯影液。化學放大光刻膠曝光速度非常