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高速光模塊上市公司

發布時間:2021-03-17 20:20:49

Ⅰ DWDM光模塊的分類有哪些

根據不同的封裝形式,DWDM光模塊主要可分為五種類型。它們是:DWDM SFP、DWDM SFP+、DWDM XFP、DWDM X2和DWDM XENPAK光模塊。

DWDMSFP光模塊提供了一條信號傳輸速率為100MBPS到2.5GBPS的高速串列鏈路。DWDMSFP光模塊符合IEEE802.3千兆乙太網標准和ANSI光纖通道規范的要求,並適用於千兆乙太網和光纖通道環境內的互連。

DWDM SFP+光模塊專門為運營商和大型企業設計,這些運營商和大型企業要求在點對點式、分插復用式、環型、網狀和星型網路拓撲結構中,針對復用、傳輸和保護高速數據、存儲、語音和視頻應用,使用一個可擴展的、靈活的、高性價比的系統。DWDM可使服務提供商在不安裝額外暗光纖的情況下,滿足任何子速率協議大量聚合服務的要求。因此,DWDM SFP+光模塊是萬兆最高帶寬應用的不二選擇。

DWDM XFP光模塊符合當前的XFP MSA規范。它支持SONET/SDH、萬兆乙太網和萬兆光纖通道應用。

DWDM X2光模塊是針對高速、萬兆數據傳輸應用的一款高性能串列光收發器模塊。這一模塊完全符合乙太網IEEE 802.3AE標准,是萬兆乙太網數據通信(機架對機架,客戶端互連)應用的理想選擇方案。這一收發器模塊由以下組件構成:帶有DWDM EML製冷型激光器的發射器、帶有PIN型光電二極體的接收器、XAUI連接介面、集成式編碼器/解碼器和復用器/解復用器。

DWDM XENPAK光模塊是第一款支持DWDM的萬兆乙太網光模塊。DWDM是一項在同一光纖上通過多個通道進行傳輸的光傳輸技術。DWDM XENPAK光模塊在光放大器EDFA的幫助下,可支持距離長達200KM的32通道數據傳輸。在不需要專用外部設備-光收發器(將波長從(比如:1310NM)轉換至DWDM波長)-的情況下,實現基於DWDM技術的萬兆乙太網系統。

Ⅱ 100G光模塊的趨勢

25G/100G高速光模塊器件封裝技術發展趨勢
針對 5G 應用場景,高速光模塊起著重要的作用,其設計、制備和封裝受多方面的因素限制。就封裝這一因素對光模塊高頻特性的影響進行了詳細分析,並提出了 3 種不同維度的設計方案。基於此,針對性地開發了 3 種符合應用標準的高速光模塊。認為在未來大規模、高密度、高速率光電集成器件中,封裝技術將會朝著多維度、多形態的方向發展。
面向 5G 的光模塊需求及挑戰
1、光電模塊的需求
隨著物聯網、大數據和雲計算技術的飛速發展,信息交互所需要的數據通信量呈現出爆炸式增長,應運而生的光纖通信技術隨之成為能夠實現高速信息傳輸的首選技術。其中,作為支撐光學通信發展的基礎部件——半導體激光器,其結構與性能也在不斷被優化,以滿足現代通信需求。相比於 4G,5G 的基站發生變化,從 4G 的射頻拉遠單元(BBU)、基帶處理單元(RRU)兩級結構演進到 5G 的集中單元(CU)、分布單元(DU)和有源天線處理單元(AAU)三級結構,進而衍生出前傳、中傳和回傳 3 個網路。
5G 的概念提出後,對光模塊的需求大幅度增加,這個需求主要體現在 2 個方面:一是對光模塊數量的需求,除了傳統前傳和回傳網路中需要的光模塊之外,在中傳的環節,也即 CU 和 DU 連接的中傳環節,也需要增加新的光模塊;二是對光模塊速率的需求,4G 前傳主要是 6G 光模塊,後逐步升級到 10 G光模塊,回傳在 4G 初期採用 GE,後逐步升級到 10 G,而 5G 通信中僅 5G前傳就需要 25 G/50 G 光模塊數千萬只,回傳速率則更高,需要100 G的光模塊,回傳的匯聚層將會升級到200 G 或 400 G。
2、光電晶元封裝的挑戰
據工信部表示:5G 系統將於 2020年實現商業化,在制定標準的進程中,25 G/100 G 光模塊標准得到大多數運營商的肯定。研究者們不斷改良半導體材料的特性,研製滿足速率標準的、更集成化、更小型化的半導體光模塊,大幅度提高了數字信號和模擬信號的傳輸質量。
高速光模塊的開發需要經過 3 個流程:晶元設計與製造、高頻電極和電路設計、光電子器件封裝和測試。過去,人們一直認為提高高頻響應特性的關鍵在於晶元的設計與製作,這其實忽視了封裝設計的重要性。然而封裝作為模塊實用化的最後一步,也是關鍵的一步,對器件能夠實現良好的高頻響應有著至關重要的意義,失敗的封裝設計將會導致器件的性能大大降低,甚至不能使用,使前期製作功虧一簣。
如今,模塊的微波封裝測試技術作為微波光電子學領域的重要研究課題之一,已經成為研究者們爭相開發的新技術。目前為止,關於封裝完備的光電模塊在各大期刊上都有詳盡描述。早期 EBBERG A等人於 2000 年報道了一種採用 TO 封裝形式無製冷的多量子阱直調激光器,傳輸速率達到 10 Gbit/s 。次年,OKAYASU M 等人報道了蝶形封裝的直調激光器模塊,3 dB 帶寬已達到15 GHz 。
2015 年,中科院半導體所報道了一種蝶形封裝的高速窄線寬激光器模塊,3 dB 帶寬達到 30 GHz,同時線寬只有 130 kHz 。隨後,他們通過對封裝結構的改善,將直調激光器模塊的帶寬提高到 32 GHz 。這些產品已滿足 5G 應用中 25 G 光模塊的需求,只是還不能進行大批量的工業生產,因為還需要在操作穩定性、工藝重復性等方面進行優化。而對於5G 應用中 100 G 光模塊的要求來說,單個激光器已無法滿足這么高的傳輸速率,於是多波長直調激光器陣列(MLA)應運而生。
目前,100 G 光模塊的實現主要是利用 4 個波長的直調激光器晶元,每個晶元數字帶寬達到 25 Gbit/s,大大減輕了單波長的壓力。早在 1987 年,就出現了多波長激光器晶元的報導,OKNDA H 等人使用四分之一波長移位結構,實現一個 5 通道 1.3 μm 分布式反饋激光器(DFB)陣列 ,單通道調制帶寬超過4 GHz。1990 年,NEC 的 YAMAGUCHIM 等人採用了半絕緣的掩埋異質結構實現了 1.5 μm 波段 4×2.5 Gbit/s 激光器陣列 。
2008 年,1 550 nm 波長下單片集成 4×25 Gbit/s 的 DBR 激光器陣列問世,該晶元滿足 100 Gbit/s乙太網傳輸的需求 。之後,第 1 個小型化 1 310 nm 波長的 100 Gbit/s(4×25.8 Gbit/s)光發射模塊(TOSA)也隨即問世 。在 2014 年,電子電信研究院 KWON O K 研究團隊製作出混合集成 100 Gbit/s(10×10 Gbit/s)直調激光器陣列,但未進行封裝,只是將整體固定在可散熱的鎢銅襯底上。單管光模塊的封裝已經具備良好的基礎了,但是多通道光模塊封裝技術的發展還比較緩慢,存在電串擾大、光耦合效率低、裝配工藝精度低、模塊體積大等問題。因此在 5G 應用中,更高速單管光模塊封裝和多通道光模塊封裝是研究的重點。
對於單個器件和陣列器件的封裝,應考慮以下幾個方面:
(1)如何設計高效的光耦合系統以及控溫系統;
(2)單管器件向高速率大帶寬發展時,如何利用封裝帶來的寄生效應補償晶元的不足;
(3)陣列器件向小型化、集成化發展時,如何實現在有限空間內完成多路微波信號的饋入,以及完成結構變換、模場匹配等復雜的結構設計。
25 G/100 G 光模塊封裝的關鍵技術
1、 高速光模塊的一維封裝技術
僅從器件結構優化這一角度來說,半導體激光器晶元的最大調制帶寬能夠達到 40 GHz。這對於 5G 場景應用中所需的 25 GHz 光模塊是足夠的,那麼對於擁有大帶寬的晶元來說,封裝成為限制器件整體帶寬的主要因素。通常,完整的封裝設計包括電、熱、光、機械設計。在進行封裝設計時主要從如何完整的傳輸微波信號,如何控制晶元工作時的溫度狀態,如何高效率地進行光電轉換以及如何保證器件的高可靠性這幾個方面進行考慮。對於單管激光器來說,光耦合、控溫系統以及機械設計已經是成熟的技術,只有影響器件帶寬性能的高頻微帶電路是一直在不斷優化改進的,接下來我們主要對電連接中高頻微帶電路設計作重點分析。
一般使用微帶線、共面波導以及接地共面波導這幾種傳輸線結構實現電連接,主要完成信號饋入、信號傳遞等功能,需要注意的是:不同傳輸線結構之間還存在特徵阻抗變換和微波模式匹配的問題。電極間的連接常用金絲鍵合的方式,但是金絲鍵合會帶來電寄生效應。以往認為電寄生效應只會惡化電網路的傳輸響應,但是經研究發現:金絲引入的電感和電極焊盤帶來的電容會產生諧振,該諧振構成低通型網路,出現類似於濾波器的頻率響應特性,利用這一特性可以擴展其截止頻率, 對光電子器件響應特性進行補償,從而提高器件的高頻響應特性。
因此,我們利用先進系統設計(ADS)模擬軟體建立激光器等效電路模型,模型包括封裝網路和本徵晶元 2 部分。通過調節封裝網路部分的電路模型,得到的模擬電路響應能夠對實際封裝給予指導意義。當金絲長度為 0 時,即沒有補償時,器件的響應曲線可以認為是器件的真實響應。隨著金絲長度的增加,傳輸響應曲線逐漸抬升,帶寬也在增加。這意味著金絲引起的諧振效應補償了器件在高頻處衰落的響應。當金絲長度增加到某一值時,該效應達到飽和,此時激光器帶寬達到了最大值,並且帶內平坦度良好。而當金絲長度繼續增加時,金絲引起的諧振對器件高頻處的衰落的補償不一致,導致帶寬逐漸下降,諧振峰很高。模擬結果如圖 1 所示,在實際封裝中,我們將金絲長度設置為 0.6 mm,得到與模擬一致的實測圖。盡管激光器的小信號頻響擴大了,但是如果觀察激光器的相頻特性,會發現在諧振頻率處線性度會很差,通常這不利於高速數據的調制傳輸。對於通信系統而言,幅頻特性和相頻特性一樣重要,相頻特性不好,會導致相位信息丟失,在復雜的高階調制中缺少一個維度的調制空間。因此,在帶寬和平坦度之間我們需要找到平衡點,通過控制金絲的長度以滿足不同的應用場景。

在此模擬理論指導下,中科院半導體所報道了一種封裝結構,如圖 2所示。在這種封裝結構中,晶元 n 極直接貼裝在信號線上,p 極通過金絲與旁邊的地線相連,金絲的長度可控。並且,在轉折處採用了掃掠彎頭以確保阻抗和寬度的連續性。另外,為了將同軸接頭轉化為平面結構,研究者引入了一段過渡傳輸線,以保證電磁場的模場匹配。再結合等效電路,優化了直流偏置電路。這種封裝方案提高了注入效率,降低了功耗,有效補償了高頻衰落,增大了帶寬。最終封裝後的該模塊經測試,帶寬達到了 30 GHz。

2、100 G 混合集成二維封裝技術
二維封裝主要是針對陣列器件。目前 100 G 乙太網中,受限於單波長激光器的帶寬,多波長激光器的提出與研究尤為必要,起初採用的方案是 10×10 Gbit/s,通道數較多使得控制復雜,功耗也大。後來隨著單管激光器帶寬的提升,採用 4×25 Gbit/s 的方案成為更加可行的方案。
陣列器件的封裝主要考慮的就是多路信號的輸入輸出以及信號間串擾問題。以多波長激光器為例,管殼和微波電路設計都明顯與單個激光器不同,多波長激光器的管殼除了起支撐、導熱的作用外,還要完成多路微波信號的同時饋入。在單波長激光器封裝中,僅使用單個高頻連接器就可以實現這部分功能,比如標準的 2.92 mm 接頭、1.85 mm 接頭、GPO接頭、GPPO 接頭,但是在多通道陣列的封裝中,這些連接器都因體積上的原因,無法被用於多通道射頻的饋入。尤其對一個標准微尺寸的管殼而言,寬度只有 4~5 mm,因此採用多層的陶瓷基板和地- 信號- 地共面波導電極引腳陣列來作為信號饋入的通道是一種可行的方法。
中科院半導體研究所在 2018 年使用這種管殼,結合表面貼裝技術,製作出了一種 4×25 Gbit/s 的發射模塊。該結構的設計省去了常用於板級互連的印製軟帶傳輸線,克服了管殼內外電路的高度差,射頻和直流信號分開可控,並且該模塊還可以方便地與外部控制電路 PCB 板集成在一起。
除此之外,微波電路的設計也尤為重要,多路射頻信號的排布以及結構變換都需要在有限的管殼空間內實現。該研究小組設計的 4×25 Gbit/s 的發射模塊採用抗干擾能力強的接地共面波導傳輸線作為高頻信號傳輸介質,並結合側面金屬化以及過孔設計實現上表面地電極與下表面地平面的連接,形成一個整體的「共地」結構,實現了良好的接地和屏蔽效果,改善了信號的完整性,有助於降低信號線之間的電串擾。對該電路結構測試的結果顯示:相鄰通道之間的串擾在 30 GHz 范圍內均低於-22 dB。
該四通道陣列晶元經過上述的封裝設計及工藝,實現了能夠滿足100 G-4 WDM-10 標準的超緊湊,低功耗的多波長激光器模塊 ,如圖 3所示。管殼體積只有11.5 mm×5.4 mm× 5.4 mm。內部包括4 個波長間隔20 nm的直調激光器模塊、四通道微波電路、4 個聚焦透鏡,以及帶有 LC 光口的粗波分復用復用器。對該模塊進行特性測試,得到測試結果為:4 個通道的 3 dB 頻率響應均在 20 GHz 左 右;但是由於在晶元和合波器間沒有足夠的空間安置隔離器,使得光束在傳輸過程中產生了各種反射,這些反射最終會進入到激光器晶元有源腔,干擾載流子的流動,在帶寬曲線上呈現出振盪現象。在光纖通信中,載流子的漲落會帶來相對強度雜訊,信號質量惡化、眼圖閉合、誤碼率升高等現象。因此在實際光纖傳輸中,為了降低光反射對信號的影響,往往需要使用分立的光纖隔離器。目前,市面上一般將隔離器集成在 LC 光介面里,但這樣會增加光介面的長度,而這很難應用到大規模高集成度的光電子晶元中。因此研究片上波導隔離器是十分有必要的。

3、100 G 單片集成三維封裝技術
三維封裝是繼二維封裝之後提出來的新概念,目的是為解決更加小型化的集成晶元的封裝問題,尤其是針對單片集成晶元的耦合封裝。單片集成的光子晶元上功能元件眾多,片集成的光子晶元上功能元件眾多,動輒幾十個到幾百個分立的功能部分;而集成晶元本身尺寸僅在百微米到幾個毫米的量級,並行晶元間隔非常小;每個功能元件有時又不止一個電極,電極排布極其緊湊,電極功能也是多種多樣。以多通道電吸收調制激光器陣列模塊為例,激光器需要為其提供偏置電流的電極,調制器需要為其提供工作電壓和高頻調制載入的電極,器件的調諧電阻需要為其提供控制電流的電極;就整體模塊化封裝而言,還需要溫度感測與控制系統的若干電極。數量繁多的電極引出鍵合引線十分密集,極易引起信道間的串擾。高頻傳輸線的布局也是一個難點,布線的時候不如分立晶元靈活,極有可能出現長度多變,多種結構相互轉換的情況。傳輸線過長容易產生諧振,電極彎曲會造成一定的場輻射,電極之間的互連也必然存在模場失配和阻抗失配的問題。以上的因素都將導致高頻微波信號的損耗和串擾,惡化激光器陣列模塊的性能,需要在設計時加以重點考慮。
為了解決單片集成晶元的封裝問題,中科院半導體所在 2014 年提出三維封裝概念並完成了一款 12 通道電吸收調制激光器陣列。創造性地設計了三維匹配電阻陣列結構,再結合底面傳輸線陣列、採用植球技術,形成良好的立體式機械過渡與電學連接,如圖 4 所示。經測試,匹配電路單元在 20 GHz 范圍內,反射 S11在-10 dB 以下;在 40 GHz 的范圍內,反射系數 S11 均在-6 dB 以下,阻抗匹配狀況良好且一致性好。對該封裝結構進行管芯級測試,預計可以滿足每通道 10 GHz 的多通道並行傳輸。

結語
5G 時代的開啟將極大刺激光模塊產業的需求,在現有的封裝工藝和基礎上,研製出高帶寬的單管激光器模塊以及超小型高集成度的陣列激光器模塊是科研界和產業圈都亟待解決的問題。本文中,我們回顧了晶元封裝的發展歷程,指出了晶元封裝的發展方向,從針對單管晶元的一維封裝發展到針對陣列晶元的二維、三維封裝,結合晶元結構以及指標需求來合理制定具體的封裝方案。我們預計:隨著倒裝焊技術的成熟,未來的封裝形式將結合倒裝焊技術和多維度封裝技術,進一步降低封裝引入的寄生效應,擴大工藝操作的冗餘度,壓縮封裝的成本。目前針對 5G 應用中大量部署的 25 G/100 G 光模塊,國家還需要不斷提高科研水平以及完善科研成果到產業鏈的平滑過渡,完成最終 5G 通信的大規模部署,滿足前傳、中傳、後傳網路不同應用場景下不同程度光介面的業務需求。以上內容由 深圳億創飛宇光通信技術有限公司提供

Ⅲ 光模塊常見分類有哪些做得好的廠家有哪些

光模塊目前最常用的有以下:

SFP光模塊:傳輸速率為百兆和千兆。常見速率有155Mb/s、622Mb/s、1.25Gb/s、2.5Gb/s、3Gb/s。

SFP+光模塊:傳輸速率為萬兆,即10Gb/s.

QSFP+光模塊:傳輸速率為40G和100G.

CFP、CFP2、CFP4光模塊:傳輸速率主要為40G和100G.

DAC高速線纜線:纜材質銅,傳輸速率為10G、40G和100G.

AOC高速光纜:傳輸介質為光纖,傳輸速率為10G、40G和100G.

Ⅳ CDFP 400Gbps光模塊有哪些廠家是可靠的

CDFP 400Gbps光模塊主要優點是高速網路連接的四倍埠帶寬以及1U前面板更加微妙但同樣重要的緊湊性,現在它可以通過將16個100Gbps CFP4 模塊替換為11個400Gbps CDFP模塊來達到接近三倍帶寬的處理能力。搜一下就知道思科 北億纖通、華為、AVAGO這些都OK的。不計成本隨便選,在意的話建議北億纖通吧,會好些。

Ⅳ 做光纖光纜的上市公司有哪些

1]、特發信息(000070):光纜、光纖及光纖預制棒、通訊設備。
特發信息是全國最早進入光通信領域的廠商之一,「特發光纜」及「特發吉光」的品牌在業界享有盛名,規模在全國位居前十位,市場佔有率高。光纜產品在2008年度四大運營商的集中采購中全部入圍,戶外光纜銷售215萬芯公里,比上年同期增長66.31%,室內光纜(軟光纜)銷售20萬芯公里,比上年同期增長152%。

[2]、*ST匯源(000586):光纖、光纜及相關產品
公司的光纖、光纜及相關產品收入主要來源於包括普通光纜、電力光纜、塑料光纖等產品的銷售及為客戶提供相關產品安裝維護及技術咨詢服務;公司是全國十大光纜生產基地之一,獨家擁有處於國內先進水平的中心束管式異型鎧裝光纜和帶狀光纜兩項國家級專利。公司通過置入光恆通信公司1275萬股切入光器件行業,以實現光通信一體化戰略.而公司的低水峰光線的開發成功大大提升了公司的技術水平,其核心競爭力得到了很好的體現。

[03]、鑫茂科技(000836):光纖
2009 年上半年累計生產光纖約 115 萬芯公里。另外,為搶抓光纖市場良好的發展機遇,做大做強公司光纖產業,2009年上半年公司在原光通信中心事業部的基礎上,與長飛光纖光纜有限公司合資成立了天津長飛鑫茂光通信有限公司,進一步強化了公司光纖產品品牌及市場銷售份額,穩固了長飛鑫茂合資公司在光纖產業中的地位。此外,為逐步形成和完善光通信產業完整產業鏈、增強光通信產業競爭力,公司在本報告期投資組建了光纜廠,目前光纜廠廠房及配套設施建設、生產設備采購等工作正按計劃進行,預計於2009年底-2010年初實現達產。

[04]、法爾勝(000890):光纖、預制棒、光纖、光纜及光感測元器件
公司近年積極向新材料業進軍,生產光導纖維,構建了包括光纖預制棒、通信用光纖、特種光纖、光纜、光器件在內的光通信產業鏈。公司主營業務主要涉及鋼絲、鋼絲繩及其產品、普通機械、電線電纜、儀器儀表、電子產品、光纖預制棒、光纖、光纜及光感測元器件、機電產品(壓力容器除外)的製造、銷售。

[5]、永鼎股份(600105):通信電纜、通信光纜及其它通信設備
永鼎股份在2008年報表示,公司海纜和光電復合纜出口有很大突破,保持著良好的發展勢頭。永鼎股份主營生產光纜、電纜,規模全國領先,將受惠於電子信息產業振興規劃。公司是全國最大的光纜生產基地之一,其光、電纜產品銷量處於國內同行業領先地位,而通信業飛速發展和網路投資熱潮也為公司發展提供了巨大的成長空間。

[06]、宏圖高科(600122):光電纜
主營業務為計算機、軟體、系統集成及網路設備,激光影碟機產品,通信設備及光電纜等產品的開發、生產與銷售。光電線纜產業屬於基礎設施配套產業,市場需求很大,但競爭激烈。2008 年國家積極應對金融危機,推動了4 萬億元刺激經濟的投資計劃,加快鐵路、公路和機場、城鄉電網等重大基礎設施建設,擴大內需的舉措,此舉必將加大對光電線纜產品的需求。

[07]、長江通信(600345):通信、光纖
旗下有控股子公司吉飛光纖光纜有限公司和長飛光纖光纜有限公司,長江通信產業集團股份有限公司參股長飛光纖光纜有限公司25%的股權,業內人士認為,在某種程度上,長飛的光芒已蓋過了長江通信。據公開資料,長飛是我國唯一具備制棒、拉纖及成纜一體化規模生產能力的專業廠家,年銷售額接近30億元。自1992年投產以來,長飛的光纖和光纜產品的產銷量連續十六年排名全國第一位。公司產品還遠銷海外50多個國家和地區,並躋身為全球第二大光纖生產企業及第五大光纜生產企業。

[08]、亨通光電(600487):光纖、光纜、電力電纜、特種通信電纜。
公司是國內最大、品種最齊全的光纖光纜生產企業之一,擁有完善的光纖產業鏈和配套產品,在特種光纜市場份額穩居全國第二。

[9]、烽火通信(600498):光纖、光纜、通信和相關通信技術。
公司是光通信行業龍頭企業,還是國內唯一集光通信領域三大戰略技術光通信設備、光纖光纜、網路安全三業並舉的企業。公司在光傳輸設備市場的競爭地位較穩定,中國光傳輸設備市場規模大約在100-120億,主要為華為、中興、烽火三家壟斷,烽火在其中約佔10%左右的份額。光纜年度銷量超過200萬公里,名列行業第二。

[10]、中天科技(600522):光纖、光纜、電纜材料及附件
公司是國內最早開發生產光纜的廠商之一,在國內光纖光纜行業內名列前茅,尤其是特種光纜的市場佔有率,多年來一直保持行業第一。隨著3G建設的鋪開,各家電信運營商加速進行基礎建設,給公司光纖、光纜及射頻電纜等通信產品的發展提供了良好的機遇。公司是國內光電纜品種最齊全的專業企業之一,特種光纜國內市場佔有率高達30%至40%,公司將受益於智能電網的建設。

另外告訴你:000063中興通訊不算,但有些介紹上列了。 與華為一樣,生產設備的。

Ⅵ 光模塊有哪些類型區別哪些公司光模塊做的好

光模塊按照封裝形式和速率等分類,常見分類有1X9、SFP、SFP+、XFP、QSFP+、CFP、GBIC、CXP、X2、Xenpak、CFP2、CFP4、DAC、AOC等等。

目前最常用的有:

SFP 光模塊

傳輸速率為百兆和千兆。常見速率有155Mb/s、622Mb/s、1.25Gb/s、2.5Gb/s、3Gb/s。

SFP+ 光模塊

傳輸速率為萬兆,即10Gb/s.

QSFP+ 光模塊

傳輸速率為40G和100G.

CFP、CFP2、CFP4 光模塊

傳輸速率主要為40G和100G.

DAC 高速線纜

線纜材質銅,傳輸速率為10G、40G和100G.

AOC 高速光纜

傳輸介質為光纖,傳輸速率為10G、40G和100G.

目前是市場上光模塊除了大品牌華為中興之外,還有很多專業廠商做的光模塊質量也比較好,比如纖億通,質量和服務都還可以。

Ⅶ 光模塊是什麼什麼是SFP

光模塊又可叫做光纖模塊,翻譯過來應該是transceiver mole。光模塊的作用就是光電轉換,發送端把電信號轉換成光信號,通過光纖傳送後,接收端再把光信號轉換成電信號。SFP是光模塊的一種。
光纖模塊分類:按功能分:
包括光接收模塊,光發送模塊,光收發一體模塊和光轉發模塊等。
按參數分
可插拔性:熱插拔和非熱插拔

封裝形式:SFP、GBIC、XFP、Xenpak、X2、1X9、SFF、200/3000pin、XPAK

傳輸速率: 傳輸速率指每秒傳輸比特數,單位Mb/s 或Gb/s。光模塊產品涵蓋了以下主要速率:低速率、百兆、千兆、2.5G、4.25G,4.9G,6G,8G,10G和40G。

按封裝分
1.XFP(10 Gigabit Small Form Factor Pluggable)是一種可熱交換的,獨立於通信協議的光學收發器,用於10G bps的乙太網,SONET/SDH,光纖通道。

2.小型可插拔收發光模塊(SFP),目前應用最廣闊。

3.GigacBiDi系列單纖雙向光模塊利用的是WDM技術實現一根光纖傳輸雙向信息號(點到點的傳輸。尤其是光纖資源不足,需要1根光纖傳雙向信號)。GigacBiDi包括SFP單纖雙向(BiDi),GBIC單纖雙向(BiDi),SFP+單纖雙向(BiDi),XFP單纖雙向(BiDi),SFF單纖雙向(BiDi)等等。

4.RJ45電口小型可插拔模塊,又稱電模塊或者電口模塊.

5.SFF根據其管腳又分為2x5,2x10等

6.千兆乙太網介面轉換器(GBIC)模塊

7.無源光網PON( A-PON,G-PON, GE-PON)光模塊

8.40Gbs高速光模塊。

9.SDH傳輸模塊(OC3,OC12,OC48)

10.存儲模塊,如4G,8G等

SFP 光模塊:
可選波長:850nm,1310nm,1490nm,1550nm,CWDM,DWDM

速率:0-10G

DDM:可選

我公司(光潤通科技發展有限公司)是專業生產光纖模塊的廠家,希望我的回答可以幫助到你,如有不解,可繼續追問,望採納!^-^

Ⅷ 請問生產感測器的上市公司有哪幾家。

第1名:歌爾聲學

歌爾聲學股份有限公司成立於2001年6月,2008年5月在深圳證券交易所成功上市。主營業務為電聲器件、電子配件和LED封裝及相關產品的研發、生產和銷售,主要為全球頂級廠商提供產品與服務,客戶涵蓋三星、LG、松下、索尼、谷歌、微軟、繽特力、思科等。

第2名:大華股份

浙江大華技術股份有限公司是領先的監控產品供應商和解決方案服務商,2008年5月成功在A股上市。

第3名:航天電子

航天時代電子技術股份有限公司(簡稱航天電子)是中國航天科技集團公司旗下從事航天電子測控、航天電子對抗、航天制導、航天電子元器件專業的高科技上市公司。其子公司長征火箭技術股份有限公司生產磁致伸縮位移感測器。

第4名:華天科技

天水華天科技股份有限公司成立於2003年12月,2007年11月公司股票在深圳證券交易所成功發行上市。華天科技主要從事半導體集成電路、MEMS感測器、半導體元器件的封裝測試業務。

第5名:東風科技

東風電子科技股份有限公司,是以汽車零部件研發、製造、銷售為主業的上市公司。控股股東為東風汽車有限公司,占公司總股本的75%。公司創立於1997年6月,由原東風汽車公司儀表公司改制組建東風汽車電子儀表股份有限公司,同年7月3日在上海證券交易所掛牌上市。

第6名:航天機電

上海航天汽車機電股份有限公司(簡稱「航天機電」)成立於1998年5月28日,是上海航天工業總公司、上海舒樂電器總廠(現更名為上海航天有線電廠)、上海新光電訊廠和上海儀表廠(現更名為上海儀表廠有限責任公司)等四家企業依託航天高科技優勢共同發起,以募集設立方式設立的股份(上市)有限公司。

第7名:通鼎互聯

通鼎集團有限公司創建於1999年,佔地2100多畝,總資產118億元,是專業從事通信用光纖光纜、通信電纜、鐵路信號電纜、城市軌道交通電纜、RF電纜、特種光電纜、光器件和機電通信設備等產品的研發、生產、銷售和工程服務,並涉足房地產、金融等多元領域的國家級優秀民營企業集團。

第8名:華工科技

華工科技成立於1999年7月28日,2000年在深圳證券交易所上市,是華中地區第一家由高校產業重組上市的高科技公司,其下屬有華工激光、華工正源、華工高理、華工圖像、海恆化誠等企業。

第9名:科陸電子

深圳市科陸電子科技股份有限公司成立於1996年,於2007年3月在深交所掛牌上市。科陸電子主營電工儀器儀表與電力自動化,生產溫度感測器壓力感測器、液位感測器、位移感測器、流量開關感測器、速度感測器、稱重感測器等。

第10名:士蘭微

杭州士蘭微電子股份有限公司(以下簡稱士蘭微)1997年成立,是專業從事集成電路晶元設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業,公司現在的主要產品是集成電路和半導體產品。

(8)高速光模塊上市公司擴展閱讀:

感測器相關的現行國家標准

GB/T 14479-1993 感測器圖用圖形符號

GB/T 15478-1995 壓力感測器性能試驗方法

GB/T 15768-1995 電容式濕敏元件與濕度感測器總規范

GB/T 15865-1995 攝像機(PAL/SECAM/NTSC)測量方法第1部分:非廣播單感測器攝像機

GB/T 13823.17-1996 振動與沖擊感測器的校準方法聲靈敏度測試

GB/T 18459-2001 感測器主要靜態性能指標計算方法

GB/T 18806-2002 電阻應變式壓力感測器總規范

GB/T 18858.2-2002 低壓開關設備和控制設備控制器-設備介面(CDI) 第2部分:執行器感測器介面(AS-i)

GB/T 18901.1-2002 光纖感測器第1部分:總規范

GB/T 19801-2005 無損檢測聲發射檢測聲發射感測器的二級校準

GB/T 7665-2005 感測器通用術語

GB/T 7666-2005 感測器命名法及代號

GB/T 11349.1-2006 振動與沖擊機械導納的試驗確定第1部分:基本定義與感測器

GB/T 20521-2006 半導體器件第14-1部分: 半導體感測器-總則和分類

GB/T 14048.15-2006 低壓開關設備和控制設備第5-6部分:控制電路電器和開關元件-接近感測器和開關放大器的DC介面(NAMUR)

GB/T 20522-2006 半導體器件第14-3部分: 半導體感測器-壓力感測器

GB/T 20485.11-2006 振動與沖擊感測器校準方法第11部分:激光干涉法振動絕對校準

GB/T 20339-2006 農業拖拉機和機械固定在拖拉機上的感測器聯接裝置技術規范

GB/T 20485.21-2007 振動與沖擊感測器校準方法第21部分:振動比較法校準

GB/T 20485.13-2007 振動與沖擊感測器校準方法第13部分: 激光干涉法沖擊絕對校準

GB/T 13606-2007 土工試驗儀器岩土工程儀器振弦式感測器通用技術條件

GB/T 21529-2008 塑料薄膜和薄片水蒸氣透過率的測定電解感測器法

GB/T 20485.1-2008 振動與沖擊感測器校準方法第1部分: 基本概念

GB/T 20485.12-2008 振動與沖擊感測器校準方法第12部分:互易法振動絕對校準

GB/T 20485.22-2008 振動與沖擊感測器校準方法第22部分:沖擊比較法校準

GB/T 7551-2008 稱重感測器

GB 4793.2-2008 測量、控制和實驗室用電氣設備的安全要求第2部分:電工測量和試驗用手持和手操電流感測器的特殊要求

GB/T 13823.20-2008 振動與沖擊感測器校準方法加速度計諧振測試通用方法

GB/T 13823.19-2008 振動與沖擊感測器的校準方法地球重力法校準

GB/T 25110.1-2010 工業自動化系統與集成工業應用中的分布式安裝第1部分:感測器和執行器

GB/T 20485.15-2010 振動與沖擊感測器校準方法第15部分:激光干涉法角振動絕對校準

GB/T 26807-2011 硅壓阻式動態壓力感測器

GB/T 20485.31-2011 振動與沖擊感測器的校準方法第31部分:橫向振動靈敏度測試

GB/T 13823.4-1992 振動與沖擊感測器的校準方法磁靈敏度測試

GB/T 13823.5-1992 振動與沖擊感測器的校準方法安裝力矩靈敏度測試

GB/T 13823.6-1992 振動與沖擊感測器的校準方法基座應變靈敏度測試

GB/T 13823.8-1994 振動與沖擊感測器的校準方法橫向振動靈敏度測試

GB/T 13823.9-1994 振動與沖擊感測器的校準方法橫向沖擊靈敏度測試

GB/T 13823.12-1995 振動與沖擊感測器的校準方法安裝在鋼塊上的無阻尼加速度計共振頻率測試

GB/T 13823.14-1995 振動與沖擊感測器的校準方法離心機法一次校準

GB/T 13823.15-1995 振動與沖擊感測器的校準方法瞬變溫度靈敏度測試法

GB/T 13823.16-1995 振動與沖擊感測器的校準方法溫度響應比較測試法

GB/T 13866-1992 振動與沖擊測量描述慣性式感測器特性的規定

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