雪崩二極體上市公司

㈠ 半導體雪崩光電二極體的雪崩二極體的發明

1965年，K.M.約翰遜及L.K.安德森等分別報道了在微波頻率下仍然具有相當高光電流增益的、均勻擊穿的半導體雪崩光電二極體。從此，雪崩光電二極體作為一種新型、高速、靈敏的固態光電探測器件漸漸受到重視。
性能良好的雪崩光電二極體的光電流平均增益嚔可以達到幾十、幾百倍甚至更大。半導體中兩種載流子的碰撞離化能力可能不同，因而使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡區有利於在相同的電場條件下獲得較高的雪崩倍增。但是，光電流的這種雪崩倍增並不是絕對理想的。一方面，由於嚔隨注入光強的增加而下降，使雪崩光電二極體的線性范圍受到一定的限制，另一方面更重要的是，由於載流子的碰撞電離是一種隨機的過程，亦即每一個別的載流子在耗盡層內所獲得的雪崩增益可以有很廣泛的幾率分布,因而倍增後的光電流I比倍增前的光電流I0有更大的隨機起伏，即光電流中的雜訊有附加的增加。與真空光電倍增管相比，由於半導體中兩種載流子都具有離化能力，使得這種起伏更為嚴重。一般將光電流中的均方雜訊電流〈i戩〉表示為
〈i戩〉=2qI0嚔2F(嚔)B
式中q為電子電荷,B為器件工作帶寬，F(嚔)表示雪崩倍增過程所引起雜訊的增加，稱為過剩雜訊因子。一般情況下,F隨嚔的變化情況相當復雜。有時為簡單起見，近似地將F表示為F=嚔x,x稱為過剩雜訊指數。F或x是雪崩光電二極體的重要參數。
由於F大於1，並隨嚔的增加而增加，因而只有當一個接收系統（包括探測器件即雪崩光電二極體、負載電阻和前置放大器）的雜訊主要由負載電阻及放大器的熱雜訊所決定時，提高雪崩增益嚔可以有效地提高系統的信噪比，從而使系統的探測性能獲得改善；相反，當系統的雜訊主要由光電流的雜訊決定時，增加嚔就不再能使系統的性能改善。這里起主要作用的是過剩雜訊因子F的大小。為獲得較小的F值，應採用兩種載流子離化能力相差大的材料，使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡層，並合理設計器件結構。

㈡ 什麼是雪崩二極體

PN結有單向導電性，正向電阻小，反向電阻很大。
當反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然增加。就是反向電擊穿。它分雪崩擊穿和齊納擊穿。
雪崩擊穿是PN結反向電壓增大到一數值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。
利用這個特性製作的二極體就是雪崩二極體

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
這是相當簡略的解釋。。。我是學半導體的。。。。

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借光樓主，我對這個問題也不明白，請問liuking123：
雪崩二極體和齊納二極體有什麼區別？
雪崩二極體用在什麼地方？
穩壓二極體應該是齊納二極體；
如蒙解釋，萬分感謝！

雪崩擊穿是在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對，這就是倍增效應。1生2，2生4，像雪崩一樣增載入流子。

齊納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，PN結中存在強電場，它能夠直接破壞！共價鍵將束縛電子分離來形成電子-空穴對，形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場強度很大！只有在雜質濃度特別大！！的PN結才做得到。（雜質大電荷密度就大）
一般的二極體摻雜濃度沒這么高，它們的電擊穿都是雪崩擊穿。齊納擊穿大多出現在特殊的二極體中，就是穩壓二極體

㈢ 雪崩二極體是幹啥用的

雪崩二極體是一種負阻器件，特點是輸出功率大，但雜訊也很大。主要雜訊來自於雪崩雜訊，是由於雪崩倍增過程中產生電子和空穴和無規則性所引起的，其性質和散彈雜訊類似。雪崩雜訊是雪崩二極體振盪器的雜訊遠高於其它振盪器的主要原因。
用於穩壓2級管

㈣ 雪崩二極體的簡介

PN結有單向導電性，正向電阻小，反向電阻很大。
當反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然增加。就是反向電擊穿。它分雪崩擊穿和齊納擊穿(隧道擊穿)。
雪崩擊穿是PN結反向電壓增大到一數值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。
利用這個特性製作的二極體就是雪崩二極體
國內主要廠商有上海歐光OTRON品牌。
雪崩擊穿是在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對，這就是倍增效應。1生2，2生4，像雪崩一樣增載入流子。
齊納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，PN結中存在強電場，它能夠直接破壞共價鍵將束縛電子分離來形成電子-空穴對，形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場強度很大！只有在雜質濃度特別大的PN結才做得到。（雜質大電荷密度就大）
一般的二極體摻雜濃度沒這么高，它們的電擊穿都是雪崩擊穿。齊納擊穿大多出現在特殊的二極體中，就是穩壓二極體
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的晶體管。產生高頻振盪的工作原理是：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那麼，在電流和電壓關繫上就會出現負阻效應，從而產生高頻振盪。它常被應用於微波領域的振盪電路中。
優質國內供應商有OTRON品牌。
其他詳細介紹
每個模塊包括一個光電探測器(快速光電二極體或雪崩光電二極體)和一個互阻抗放大器。同一封裝中兼備放大器和光探測器，使其環境雜訊更低，寄生電容更小。C30659 系列模塊包括一個連接到低雜訊互阻抗放大器的APD。有4種型號使用硅晶體 雪崩光電二極體和2 種型號銦鎵砷雪崩光電二極體可選擇。50 兆赫和200 兆赫的標准頻帶寬度可以適應大范圍應用。另有兩種C30659 型號的雪崩光電二極體配置熱電製冷 (LLAM 系列)，幫助改善噪音或保持雪崩光電二極體在任何環境溫度下恆溫工作。C30659 型號可以根據特殊應用需要，選擇一種定製頻帶寬度或適合特殊環境要求的定製產品。另有一種帶尾纖封裝14 插腳雙列直插式插件，可以達到幾乎100 %耦合效率。C30950EH是可以替代C30659 的低成本型產品。放大器用來抵消電壓增益放大器的輸入電容。C30919E 與C30950EH 使用相同設計結構，多了一個高壓溫度補償電路以保持 模塊在寬溫度范圍內的響應性常數。另兩種HUV 模塊可用於低頻高增益應用，它涵蓋 了從紫外線到接近紅外線的廣譜范圍。
應用
· 激光測距儀· 共焦顯微鏡檢查· 視頻掃描成像儀· 高速分析儀器· 自由空間通信 · 紫外線感測· 分布式溫度感測器
特點和優點 ：· 超低雜訊· 高速· 高互阻抗增益
常用型號:C30659-900-R5BH，C30659-900-R8AH, C30659-1060-R8BH，C30659-1060-3AH ,C30659-1550-R08BH，C30659-1550-R2AH, C30919E, C30950EH,LLAM-1550-R2A, LLAM-1060-R8BH ,HUV-1100BGH,HUV-2000BH。SPcM-AQRH-10， SPcM-AQRH-11， SPcM-AQRH-12， PcM-AQRH-13， SPcM-AQRH-14， SPcM-AQRH-15，SPcM-AQRH-16， c30902SH， c911， c1311， c1911， c922 c1322 c1922 c943 c1343 c1943 c984， c1384， c1984， c993， c1393， c1993， c963， c1363， c1963， c973， c1373， c1973， SB0440CLG-011， sB0440CLQ-011， SB1440CLG-011， SB1440CLQ-011 ， SB2480CLG-011， SB2480CLQ-011， SB4480CL， RL0512P， RL1024P， RL2048P， HL2048P， HL4096P， RL1201， RL1202， RL1205 RL1210， RL1501， RL1502， RL1505， c30659-900-R5BH， c30659-900-R8AH， c30659-1060-R8BH， c30659-1060-3AH ，
c30659-1550-R08BH， c30659-1550-R2AH， c30919e， c30950eH， LLAM-1550-R2AH， LLAM-1060-R8BH， HUV-1100BGH， HUV-2000BH， VtA2164H-D-nc-00-0， VtA1616H-H-Sc-01-0 VtA1616H-L-Sc-02-0 VtA2516H-H-Sc-01-0 VtA2516H-L-Sc-02-0 VtA1216H-H-nc-00-0 VtA1216H-L-nc-00-0 VtA0832H-H-nc-00-0 c30817eH
c30872eH c30884e c30902BH c30902BFcH c30902BStH c30902eH c30902SH c30916eH c30921eH c30921SH
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c30807eH c30808eH c30822eH c30809eH c30810eH c30971eH FFD-100H FFD-200H FnD-100QH UV-040BQH UV-100BQH UV-215BGH/ UV-215BQH UV-245BGH UV-245BQH YAG 100AH YAG-200H YAG-444AH SR10BP SR10BP-B SR10De SR10De-B PFD10 cR50De
c30845eH YAG-444-4AH Dtc-140H VtP7840H VtP413H VtP100H VtP1188SH VtP1220FBH VtP9812FH Vtt9812FH SR10SPD470-0.9 SR10SPD525-0.9 VtP100H VtP100cH VtP1012H VtP1112H VtP1188SH VtP1220FBH VtP1232H VtP1232FH VtP1332H VtP1332FH VtP3310LAH VtP3410LAH VtP413H VtP4085H VtP4085SH VtP5050H VtP6060H
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VtP8840_tRH VtP9412H VtP9812FH SR10SPD880-0.9 VtD31AAH VtD34H VtD34FH VtD34SMH VtD34FSMH VtD205H VtD205KH VtD206H VtD206KH VtH2090H
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VtB1113BH VtB4051H VtB5051H VtB5051BH VtB5051JH VtB5051UVH VtB5051UVJH VtB6061H VtB6061BH VtB6060cieH VtB6061JH VtB6061UVH Vtt1223WH Vtt1225H Vtt1226H Vtt1227H Vtt3122eH Vtt3123eH Vtt3323LAH Vtt3324LAH Vtt3325LAH Vtt3423LAH Vtt3424LAH等

㈤ 製造雪崩光電二極體（APD）的專業廠商，有哪些要專業的

如果說的是通訊用的：主要有Dtech,Cyoptics, 三菱，國內44所

㈥ PN結的應用

根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。 PN結反偏時，反向電流很小，近似開路，因此是一個主要由勢壘電容構成的較理想的電容器件，且其增量電容值隨外加電壓而變化 利用該特性可製作變容二極體，變容二極體在非線性電路中應用較廣泛， 如壓控振盪器、頻率調制等。

㈦ 講述雪崩二極體.肖特基光電二極體.光電二極體的特點。

雪崩二極體 它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的晶體管。產生高頻振盪的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那麼，在電流和電壓關繫上就會出現負阻效應，從而產生高頻振盪。它常被應用於微波領域的振盪電路中。
發光二極體 用磷化鎵、磷砷化鎵材料製成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。

㈧ 請教氣體放電二極體和雪崩二極體、TVS的區別

看你問的幾個問題就知道你想了解保護二極體的區別以及應用針對性。
首先氣體放電二極體主要針對瞬間比較大的電流，可以用於防止信號迴路中隨機出現的高壓沖擊。而雪崩二極體和TVS(Transient
Voltage
Suppresser瞬態電壓抑制器)主要用於ESD（Electrostaics
Discharge，靜電放電）防護，電流相對較小，持續時間很短。
以下是這些器件的一下工藝說明：
陶瓷氣體放電管是在放電間隙內充入適當的惰性氣體介質。配以高活性的電子發射材料及放電引燃機構，通過貴金屬焊料高溫封接而成的一種特殊的金屬陶瓷結構的氣體放電器件。它可用於瞬間過電壓防浪涌，也可用作點火。其高阻抗、低極間電容和高耐沖擊電流是其它放電管所不具備的。當線路有瞬時過電壓竄入時，放電管被擊穿，阻抗迅速下降，幾乎是短路狀態。放電管將大電流通過線路接地或迴路泄放，也將電壓限制在低電位，從而保護了線路及設備。當過電壓浪涌消失後，又迅速的恢復到≥109的高阻狀態，保證線路的正常工作
雪崩二極體就是利用二極體反向擊穿的雪崩效應。
TVS(Transient
Voltage
Suppresser瞬態電壓抑制器)二極體等ESD保護器是近幾年發展起來的一種固態二極體,專門用於ESD保護.TVS二極體是和被保護電路並聯的,當瞬態電壓超過電路的正常工作電壓時,二極體發生雪崩,為瞬態電流提供通路,使內部電路免遭超額電壓的擊穿或超額電流的過熱燒毀.由於TVS二極體的結面積較大,使得它具有泄放瞬態大電流的優點,具有理想的保護作用.
改進後的TVS二極體還具有適應低壓電路(<5
V)的特點,且封裝集成度高,適用於在印製電路板面積緊張的情況下使用.很低的箝位電壓,經過多次ESD過程後不會劣化.這些特點決定了它有廣泛的適用范圍.

㈨ 雪崩二極體

PN結有單向導電性，正向電阻小，反向電阻很大。
當反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然增加。就是反向電擊穿。它分雪崩擊穿和齊納擊穿。
雪崩擊穿是PN結反向電壓增大到一數值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。
利用這個特性製作的二極體就是雪崩二極體

㈩ 誰能幫忙解釋一下齊納管，雪崩二極體哈

齊納二極體zener diodes(又叫穩壓二極體)它的電路符號是:此二極體是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很少的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恆定,穩壓二極體是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用.其伏安特性,穩壓二極體可以串聯起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯就可獲得更多的穩定電壓。齊納二極體不同於鍺二極體的是：如果反向電壓，有時簡稱為「偏壓」增加到某個特殊值，對於一個微小偏壓的變化，就會使電流產生一個可觀的增加。引起這種效應的電壓稱為「擊穿」電壓或「齊納」電壓。2DW7型管的擊穿電壓在5．8－6．5V之間，極大電流是30mA。 雪崩二極體是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。PN結有單向導電性，正向電阻小，反向電阻很大。當反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然增加。就是反向電擊穿。它分雪崩擊穿和齊納擊穿。雪崩擊穿是PN結反向電壓增大到一數值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。利用這個特性製作的二極體就是雪崩二極體.雪崩擊穿是在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對，這就是倍增效應。1生2，2生4，像雪崩一樣增載入流子。齊納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，PN結中存在強電場，它能夠直接破壞共價鍵將束縛電子分離來形成電子-空穴對，形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場強度很大！只有在雜質濃度特別大的PN結才做得到。（雜質大電荷密度就大）一般的二極體摻雜濃度沒這么高，它們的電擊穿都是雪崩擊穿。齊納擊穿大多出現在特殊的二極體中，就是穩壓二極體它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的晶體管。產生高頻振盪的工作原理是：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那麼，在電流和電壓關繫上就會出現負阻效應，從而產生高頻振盪。它常被應用於微波領域的振盪電路中